ਹਾਲ ਹੀ ਵਿੱਚ, ਸਨ ਰੋਂਗ ਅਤੇ ਸ਼ੇਨਜ਼ੇਨ ਇੰਸਟੀਚਿਊਟ ਆਫ਼ ਐਡਵਾਂਸਡ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀ, ਚਾਈਨੀਜ਼ ਅਕੈਡਮੀ ਆਫ਼ ਸਾਇੰਸਿਜ਼ ਦੇ ਹੋਰ ਸਬੰਧਤ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਹਲਕੇ ਚਾਂਦੀ/ਘਟਾਏ ਹੋਏ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਆਕਸਾਈਡ ਕੋਟੇਡ ਕਾਰਬਨਾਈਜ਼ਡ ਮੇਲਾਮਾਈਨ (CMF/rGO/Ag) ਫੋਮ ਸਮੱਗਰੀ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਸਧਾਰਨ ਇੱਕ-ਪੜਾਅ ਵਾਲੀ ਗਰਮੀ ਇਲਾਜ ਰਣਨੀਤੀ ਦਾ ਪ੍ਰਸਤਾਵ ਦਿੱਤਾ। ਕਾਰਬਨਾਈਜ਼ਡ-ਕੰਪੋਜ਼ਿਟ ਮੇਲਾਮਾਈਨ ਫੋਮ ਸਮੱਗਰੀ ਨੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ EMI ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਪ੍ਰਭਾਵ (EMI SE) ਪ੍ਰਦਾਨ ਕੀਤਾ।
5G ਸੰਚਾਰ ਅਤੇ ਸਮਾਰਟ ਫ਼ੋਨਾਂ ਦੇ ਉਭਾਰ ਨੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਦੀ ਸਮੱਸਿਆ ਨੂੰ ਹੋਰ ਵਧਾ ਦਿੱਤਾ ਹੈ।
ਗੰਭੀਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਡੇਟਾ ਦਾ ਨੁਕਸਾਨ, ਸਿਸਟਮ ਅਸਫਲਤਾ, ਅਤੇ ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ ਮਨੁੱਖੀ ਸਿਹਤ ਨੂੰ ਵੀ ਖ਼ਤਰੇ ਵਿੱਚ ਪਾ ਸਕਦੀ ਹੈ।
ਅਤਿ-ਘੱਟ ਘਣਤਾ ਅਤੇ ਚੰਗੀ ਮਕੈਨੀਕਲ ਲਚਕਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਦਾ ਵਿਕਾਸ ਨੁਕਸਾਨਦੇਹ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗ ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ ਜਾਂ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਨੂੰ ਦਬਾਉਣ ਦਾ ਇੱਕ ਪ੍ਰਭਾਵਸ਼ਾਲੀ ਤਰੀਕਾ ਹੈ।
ਰਵਾਇਤੀ ਧਾਤ ਦੀਆਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਲਈ, ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੀ ਢਾਲ ਸਮੱਗਰੀ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਲਈ ਚਾਲਕਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਹਮੇਸ਼ਾ ਮੁੱਖ ਰਣਨੀਤੀ ਰਹੀ ਹੈ।
ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਗ੍ਰਾਫੀਨ, ਕਾਰਬਨ ਨੈਨੋਟਿਊਬ, ਅਤੇ ਐਮਐਕਸੀਨ ਵਰਗੇ ਨਵੇਂ ਨੈਨੋਮੈਟੀਰੀਅਲਾਂ ਵਿੱਚ ਵੀ ਉੱਚ ਈਐਮਆਈ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੀ ਰਿਪੋਰਟ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ।
ਨੈਨੋਮੈਟੀਰੀਅਲਜ਼ ਦੀ ਬਹੁਤ ਹੀ ਲਚਕਦਾਰ ਨਿਰਮਾਣ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਇਹਨਾਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨੂੰ EMI ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਲਈ ਫੋਮ ਜਾਂ ਫਿਲਮ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰੋਸੈਸ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਨੈਨੋਮੈਟੀਰੀਅਲਜ਼ ਦੇ ਫੋਮ ਵਾਲੇ ਰੂਪ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਸੰਘਣੀ ਫਿਲਮਾਂ ਉੱਚ ਚਾਲਕਤਾ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦੀਆਂ ਹਨ।
ਉੱਚ ਚਾਲਕਤਾ ਘਟਨਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਮਜ਼ਬੂਤੀ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤ ਕਰਕੇ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ EMI SE ਪੈਦਾ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ।
ਉਦਾਹਰਣ ਵਜੋਂ, ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਸੰਚਾਲਕ ਧਾਤਾਂ ਦਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਗੁਣਾਂਕ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 90% ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸਦਾ ਅਰਥ ਹੈ ਕਿ 90% ਘਟਨਾ ਵਾਲੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਖਾਲੀ ਥਾਂ ਵਿੱਚ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਤ ਹੋਣਗੀਆਂ।
ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਿਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਗੰਭੀਰ ਸੈਕੰਡਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਰੇਡੀਏਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦੂਸ਼ਣ ਦਾ ਕਾਰਨ ਵੀ ਬਣ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ। ਘੱਟ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਗੁਣਾਂਕ ਦੇ ਨਾਲ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ EMI ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਅਜੇ ਵੀ ਇੱਕ ਚੁਣੌਤੀ ਹੈ।
ਫੋਮ-ਕਿਸਮ ਦੀ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਇੱਕ ਪੋਰਸ ਬਣਤਰ ਤੋਂ ਬਣੀ ਹੈ। ਇਸਦੇ ਹਲਕੇ ਭਾਰ, ਚੰਗੀ ਮਕੈਨੀਕਲ ਸੰਕੁਚਿਤਤਾ ਅਤੇ ਐਡਜਸਟੇਬਲ EMI ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਇਸ ਵਿੱਚ ਰਵਾਇਤੀ ਸਖ਼ਤ ਧਾਤ ਦੀ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਦੀ ਬਹੁਤ ਸੰਭਾਵਨਾ ਹੈ।
ਖਾਸ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਪੋਰਸ ਬਣਤਰ ਫੋਮ-ਕਿਸਮ ਦੀ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਘਟਨਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ 'ਤੇ ਸਪੱਸ਼ਟ ਮਲਟੀਪਲ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬਾਂ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਜੋ ਫੋਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਸੋਖ ਸਕੇ ਅਤੇ ਘਟਾ ਸਕੇ। ਇਹ ਰਿਪੋਰਟ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ ਕਿ ਪੋਰਸ ਬਣਤਰ MXene ਦੁਆਰਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਦੇ ਸੋਖਣ ਨੂੰ ਵਧਾਏਗਾ।
ਠੋਸ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ, ਪੋਰਸ ਬਣਤਰ ਵਿੱਚ ਬਿਹਤਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਵੇਵ ਇੰਪੀਡੈਂਸ ਮੈਚਿੰਗ ਸਮਰੱਥਾ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਹ ਘਟਨਾ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਤਰੰਗਾਂ ਨੂੰ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਫੋਮ ਦੇ ਅੰਦਰੂਨੀ ਢਾਂਚੇ ਵਿੱਚ ਦਾਖਲ ਕਰਵਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, ਘੱਟ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਗੁਣਾਂਕ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸੋਖਣ ਗੁਣਾਂਕ ਵਾਲੀਆਂ EMI ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਵਿੱਚ ਚੰਗੀ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਮੇਲਿੰਗ (ਘੱਟ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ) ਅਤੇ ਉੱਚ ਮਲਟੀਪਲ ਪ੍ਰਤੀਬਿੰਬ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਉੱਚ EMI SE ਅਤੇ ਸੋਖਣ ਗੁਣਾਂਕ ਦੇ ਨਾਲ, ਪਰਤਦਾਰ ਬਣਤਰ, ਮਲਟੀ-ਲੇਅਰ ਬਣਤਰ ਅਤੇ ਆਈਸੋਟ੍ਰੋਪਿਕ ਬਣਤਰ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਹਨ। ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਗੁੰਝਲਦਾਰ ਬਣਤਰਾਂ ਅਤੇ ਮਲਟੀ-ਕੰਪੋਨੈਂਟਾਂ ਵਿੱਚ ਅਕਸਰ ਮਲਟੀ-ਸਟੈਪ ਪ੍ਰੋਸੈਸਿੰਗ ਸ਼ਾਮਲ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਲਚਕਤਾ ਮਾੜੀ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
ਸਿਲਵਰ-ਪਲੇਟੇਡ ਪੋਲੀਮਾਈਡ ਫੋਮ ਭੌਤਿਕ ਛਿੜਕਾਅ ਵਿਧੀ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ, ਅਤੇ ਇਸਦੀ ਘਣਤਾ 23kg/m3 ਸੀ। ਸਿਲਵਰ-ਪਲੇਟੇਡ ਮੇਲਾਮਾਈਨ ਫੋਮ ਰਸਾਇਣਕ ਜਮ੍ਹਾਂ ਕਰਕੇ ਤਿਆਰ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ। ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਸਿਲਵਰ-ਪਲੇਟੇਡ ਮੇਲਾਮਾਈਨ ਫੋਮ ਵਿੱਚ 90 dB ਦਾ EMI ਉੱਚ SE ਅਤੇ 63.5 wt% ਦੀ ਚਾਂਦੀ ਦੀ ਸਮੱਗਰੀ ਹੈ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇੱਕ ਤਾਂਬਾ/ਨਿਕਲ ਕੋਟੇਡ ਪੋਲੀਮੇਥਾਕ੍ਰਾਈਮਾਈਡ ਹਾਈਬ੍ਰਿਡ ਫੋਮ ਅਤੇ ਸੋਨੇ ਦੇ ਨੈਨੋਪਾਰਟੀਕਲ ਕੋਟੇਡ ਪੋਲੀਮਰ-ਅਧਾਰਤ ਨੈਨੋਫਾਈਬਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਮੈਗਨੈਟਿਕ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲੈੱਸ ਪਲੇਟਿੰਗ ਵਿਧੀ ਵੀ ਪ੍ਰਸਤਾਵਿਤ ਹੈ।
ਹਾਲਾਂਕਿ, ਸਖ਼ਤ ਧਾਤ ਅਤੇ ਲਚਕਦਾਰ ਫਰੇਮ ਵਿਚਕਾਰ ਅੰਦਰੂਨੀ ਇੰਟਰਫੇਸ ਬੇਮੇਲ ਹੋਣ ਕਾਰਨ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ, ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਲੈੱਸ ਪਲੇਟਿੰਗ ਅਤੇ ਭੌਤਿਕ ਸਪਰੇਅ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੇ ਗਏ ਧਾਤ ਦੇ ਫੋਮ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਵਿੱਚ ਮਾੜੀਆਂ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹਨ। ਧਾਤ ਦੇ ਕਣਾਂ ਅਤੇ ਲਚਕਦਾਰ ਫੋਮ ਸਕੈਲਟਨ ਵਿਚਕਾਰ ਸਬੰਧ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣਾ ਅਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਵਾਲੇ ਧਾਤ ਦੇ ਫੋਮ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਨੂੰ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨਾ ਅਜੇ ਵੀ ਚੁਣੌਤੀਆਂ ਨਾਲ ਭਰਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ।
ਇਸ ਅਧਿਐਨ ਵਿੱਚ, ਲੇਖਕ ਨੇ ਹਲਕੇ ਚਾਂਦੀ/ਘਟਾਏ ਹੋਏ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਆਕਸਾਈਡ ਕੋਟੇਡ ਕਾਰਬਨਾਈਜ਼ਡ ਮੇਲਾਮਾਈਨ (CMF/rGO/Ag) ਕੰਪੋਜ਼ਿਟ ਫੋਮ ਸਮੱਗਰੀ ਤਿਆਰ ਕਰਨ ਲਈ ਇੱਕ ਸਧਾਰਨ ਇੱਕ-ਪੜਾਅ ਵਾਲੀ ਗਰਮੀ ਇਲਾਜ ਰਣਨੀਤੀ ਦਾ ਪ੍ਰਸਤਾਵ ਦਿੱਤਾ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਮਕੈਨੀਕਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ EMI ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਪ੍ਰਭਾਵ (EMI SE) ਹੈ। ਕੰਪੋਜ਼ਿਟ ਫਰੇਮਵਰਕ ਅਤੇ ਚਾਂਦੀ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਵਧੇ ਹੋਏ ਇੰਟਰਫੇਸ ਦੇ ਕਾਰਨ, CMF/rGO/Ag ਫੋਮ ਨੇ 1000 ਲੋਡਿੰਗ-ਅਨਲੋਡਿੰਗ ਕੰਪਰੈਸ਼ਨ ਟੈਸਟ ਚੱਕਰਾਂ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਢਾਂਚਾਗਤ ਸਥਿਰਤਾ ਦਿਖਾਈ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਫੋਮ ਦਾ EMI SE ਸਿਰਫ 16 mg cm2 g-1 ਦੀ ਘਣਤਾ ਅਤੇ 0.09 ਵੋਲ% ਦੀ ਇੱਕ ਅਤਿ-ਘੱਟ Ag ਸਮੱਗਰੀ 'ਤੇ 50.6 dB ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਗਿਆ।
ਦਿਲਚਸਪ ਗੱਲ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਪੋਰਸ ਫਰੇਮਵਰਕ ਅਤੇ ਮਲਟੀਪਲ ਇੰਟਰਫੇਸਾਂ ਦੇ ਸਹਿਯੋਗ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ CMF/rGO/Ag ਫੋਮ ਦਾ ਅਸਾਧਾਰਨ ਤੌਰ 'ਤੇ ਉੱਚ ਸੋਖਣ ਗੁਣਾਂਕ (0.5 ਤੋਂ ਵੱਧ) ਹੋਇਆ। CMF/rGO/Ag ਫੋਮ ਦੇ ਉੱਚ ਸੋਖਣ ਗੁਣਾਂਕ ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਵਿਧੀ ਦਾ ਹੋਰ ਅਧਿਐਨ ਸੀਮਿਤ ਤੱਤ ਵਿਸ਼ਲੇਸ਼ਣ (FEA) ਦੁਆਰਾ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ। CMF/rGO/Ag ਫੋਮ ਦੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਨੇਅਰ-ਫੀਲਡ EMI ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਤੋਂ ਪਤਾ ਲੱਗਦਾ ਹੈ ਕਿ ਘੱਟ-ਘਣਤਾ ਵਾਲੇ, ਮਜ਼ਬੂਤ CMF/rGO/Ag ਫੋਮ ਦੇ ਬਹੁਤ ਫਾਇਦੇ ਹਨ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਪੈਕੇਜਿੰਗ ਲਈ EMI ਸ਼ੀਲਡਿੰਗ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ ਹਨ।