ਸੁਪਰ-ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਉੱਨਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਦੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ-ਡੋਪਡ ਕਾਰਬਨ ਫੋਮ 'ਤੇ ਉਗਾਈਆਂ ਗਈਆਂ NiCo2S4 ਨੈਨੋ-ਸ਼ੀਟਾਂ

ਸੁਪਰ-ਕੈਪੀਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਊਰਜਾ ਘਣਤਾ ਸੀਮਾ ਨੂੰ ਅੱਗੇ ਵਧਾਉਣ ਲਈ, ਅਨੁਕੂਲ ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਇੱਕ ਨਵੇਂ ਵਰਗ ਦੀ ਸਖ਼ਤ ਲੋੜ ਹੈ।

ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ-ਡੋਪਡ ਕਾਰਬਨ ਫੋਮ 'ਤੇ ਉਗਾਈਆਂ ਗਈਆਂ NiCo2S4 ਨੈਨੋ-ਸ਼ੀਟਾਂ (1)

                       

ਬਾਈਨਰੀ ਮੈਟਲ ਸਲਫਾਈਡ ਉੱਚ-ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਾਲੇ ਊਰਜਾ ਸਟੋਰੇਜ ਯੰਤਰਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ ਬਹੁਤ ਵਾਅਦਾ ਕਰਦੇ ਹਨ ਕਿਉਂਕਿ ਇਹ ਮੋਨੋ-ਮੈਟਲ ਸਲਫਾਈਡਾਂ ਨਾਲੋਂ ਉੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਗਤੀਵਿਧੀ ਅਤੇ ਉੱਚ ਸਮਰੱਥਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹਨ।

 

ਇੱਥੇ, ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ-ਡੋਪਡ ਕਾਰਬਨ ਫੋਮ (NCF) (SINOYQX ਕਾਰਬਨਾਈਜ਼ਡ ਮੇਲਾਮਾਈਨ ਫੋਮ 'ਤੇ ਅਧਾਰਤ) 'ਤੇ ਸਮਰਥਿਤ NiCo 2 S 4 ਨੈਨੋ-ਸ਼ੀਟਾਂ ਦੇ ਤਰਕਸੰਗਤ ਡਿਜ਼ਾਈਨ ਅਤੇ ਨਿਰਮਾਣ ਨੂੰ ਸੁਪਰ-ਕੈਪਸੀਟਰਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਨਵੇਂ ਲਚਕਦਾਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਜੋਂ ਪੇਸ਼ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।

 

NCF 'ਤੇ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਅਡੈਸ਼ਨ ਦੇ ਨਾਲ NiCo 2 S 4 ਨੈਨੋਸ਼ੀਟਾਂ ਦੇ ਵਾਧੇ ਲਈ ਇੱਕ ਆਸਾਨ ਦੋ-ਪੜਾਅ ਵਿਧੀ ਵਿਕਸਤ ਕੀਤੀ ਗਈ ਹੈ , ਜਿਸ ਵਿੱਚ Ni-Co ਪੂਰਵਗਾਮੀ ਦਾ ਵਾਧਾ ਅਤੇ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਸਲਫੀਡੇਸ਼ਨ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ NiCo 2 S 4 ਨੈਨੋਸ਼ੀਟਾਂ ਵਿੱਚ ਪਰਿਵਰਤਨ ਸ਼ਾਮਲ ਹੈ।

 

ਰਚਨਾਤਮਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਅਤੇ 3D ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਤੋਂ ਲਾਭ ਉਠਾਉਂਦੇ ਹੋਏ, NiCo 2 S 4 /NCF ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਅਤਿ-ਉੱਚ ਸਮਰੱਥਾ ( 20 A g −1 'ਤੇ 877 F g −1 ) ਅਤੇ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਸਾਈਕਲਿੰਗ ਸਥਿਰਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਬਹੁਤ ਬਿਹਤਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਕੈਮੀਕਲ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ।

 

ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਇੱਕ ਬਾਈਂਡਰ-ਮੁਕਤ ਅਸਮੈਟ੍ਰਿਕ ਸੁਪਰ-ਕੈਪਸੀਟਰ ਡਿਵਾਈਸ ਵੀ NiCo 2 S 4 /NCF ਨੂੰ ਸਕਾਰਾਤਮਕ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਜੋਂ ਅਤੇ ਆਰਡਰ ਕੀਤੇ ਮੇਸੋਪੋਰਸ ਕਾਰਬਨ (OMC)/NCF ਨੂੰ ਨੈਗੇਟਿਵ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਵਜੋਂ ਵਰਤ ਕੇ ਬਣਾਈ ਜਾਂਦੀ ਹੈ; ਇਹ ਉੱਚ ਊਰਜਾ ਘਣਤਾ (≈45.5 Wh kg −1 at 512 W kg −1 ) ਦਰਸਾਉਂਦਾ ਹੈ।

ਨਾਈਟ੍ਰੋਜਨ-ਡੋਪਡ ਕਾਰਬਨ ਫੋਮ 'ਤੇ ਉਗਾਈਆਂ ਗਈਆਂ NiCo2S4 ਨੈਨੋ-ਸ਼ੀਟਾਂ (2)

ਪ੍ਰੋਜੈਕਟ ਬਾਰੇ ਵਧੇਰੇ ਜਾਣਕਾਰੀ ਲਈ, ਕਿਰਪਾ ਕਰਕੇ SINOYQX ਨਾਲ [email protected] ਰਾਹੀਂ ਸੰਪਰਕ ਕਰਨ ਲਈ ਬੇਝਿਜਕ ਮਹਿਸੂਸ ਕਰੋ ਜਾਂ [email protected] ' ਤੇ ਈਮੇਲ ਕਰੋ। ਲਾਇਫਾ ਸ਼ੇਨ, ਜੀ ਵਾਂਗ, ਗੁਈਯਿਨ ਜ਼ੂ, ਹੋਂਗਸੇਨ ਲੀ, ਹੁਈ ਡੂ ਅਤੇ ਜ਼ਿਆਓਗਾਂਗ ਝਾਂਗ, ਕਾਲਜ ਆਫ਼ ਮਟੀਰੀਅਲਜ਼ ਸਾਇੰਸ ਐਂਡ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ, ਜਿਆਂਗਸੂ ਕੀ ਲੈਬਾਰਟਰੀ ਆਫ਼ ਮਟੀਰੀਅਲਜ਼ ਐਂਡ ਟੈਕਨਾਲੋਜੀਜ਼ ਫਾਰ ਐਨਰਜੀ ਕਨਵਰਜ਼ਨ, ਨਾਨਜਿੰਗ, ਪੀਆਰ ਚੀਨ ਤੋਂ। ਸੁਪਰ-ਕੈਪੀਸੀਟਰਾਂ ਦੀ ਊਰਜਾ ਘਣਤਾ ਸੀਮਾ ਨੂੰ ਅੱਗੇ ਵਧਾਉਣ ਲਈ, ਅਨੁਕੂਲ ਆਰਕੀਟੈਕਚਰ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਡ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਇੱਕ ਨਵੇਂ ਵਰਗ ਦੀ ਸਖ਼ਤ ਲੋੜ ਹੈ।